Samsung Electronics, líder mundial en tecnología de memoria avanzada, ha anunciado hoy que ha comenzado la producción en masa del primer NAND de celda de cuatro niveles (QLC) de un terabit (Tb) de 9ª generación vertical (V-NAND) de la industria. Esta nueva tecnología se suma a la producción en masa del NAND triple de 9ª generación (TLC) iniciada en abril de este año, reforzando así su liderazgo en el mercado de flash NAND de alta capacidad y alto rendimiento.
"Kicking off the successful mass production of QLC 9th-generation V-NAND just four months after the TLC version allows us to offer a full lineup of advanced SSD solutions that address the needs for the AI era?, declaró SungHoi Hur, Vicepresidente Ejecutivo y Jefe de Producto Flash y Tecnología en Samsung Electronics. "A medida que el mercado de SSD empresariales muestra un rápido crecimiento con una mayor demanda de aplicaciones de IA, continuaremos consolidando nuestro liderazgo en el segmento mediante nuestras tecnologías QLC y TLC de 9ª generación". Samsung planea expandir las aplicaciones de su NAND QLC de 9ª generación, comenzando con productos de consumo y extendiéndose a dispositivos de almacenamiento flash universal móvil (UFS), PCs y SSDs para servidores, incluidos proveedores de servicios en la nube. Este desarrollo trae consigo numerosas innovaciones tecnológicas significativas.
En primer lugar, gracias a la tecnología inigualable de Channel Hole Etching, la compañía h...