Samsung Electronics, líder mundial en tecnología de memoria avanzada, ha comenzado la producción en masa de su unidad de un terabit (Tb) de célula de triple nivel (TLC) 9ª generación de V-NAND, reafirmando su posición dominante en el mercado de NAND flash. Esta nueva tecnología, que presenta una densidad de bits líder en la industria, mejora la productividad gracias a su innovadora estructura de apilamiento doble y tecnología avanzada de «grabado de agujeros de canal».
?Nos complace anunciar la primera V-NAND de 9ª generación de la industria, la cual impulsará significativamente las aplicaciones futuras. Para abordar las necesidades en constante evolución de las soluciones de NAND flash, Samsung ha llevado más allá los límites en la arquitectura de celdas y el esquema operativo de nuestro próximo producto,? declaró SungHoi Hur, jefe de Producto y Tecnología de Flash del Negocio de Memoria en Samsung Electronics. ?Con nuestra última V-NAND, Samsung continuará marcando tendencia en el mercado de unidades de estado sólido (SSD) de alto rendimiento y alta densidad, satisfaciendo las demandas de la próxima generación de inteligencia artificial.? Samsung ha logrado mejorar la densidad de bits de la V-NAND de 9ª generación en aproximadamente un 50% en comparación con la V-NAND de 8ª generación, gracias al tamaño de celda más pequeño y el molde más delgado de la industria. Innovaciones clave como la evitación de interferencias de celda y la exte...